In掺杂对n型方钴矿化合物的微结构及热电性能的影响规律

• 作者: 周龙 唐新峰 李涵 苏贤礼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Insb CoSb3 热电性能
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 7219-7224
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

用熔融退火法结合放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了具有不同In含量的In,Co4Sb12(x=0.1-0.4)方钴矿化合物.X射线衍射分析和扫描电镜分析结果表明,当In的掺杂量超过一定值时,化合物中会原位析出纳米Insb的第二相,且其含量会随In掺杂量的增加而增大.研究结果表明,InSb第二相的存在增大了化合物的功率因子,降低了化合物的晶格热导率,显著提高了化合物的热电性能.在温度为800 K时,In0.35Co4Sb12样品的最大热电优值(ZT值)达到了1.21.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
2	李涵	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	20	73	5.0	7.0
3	苏贤礼	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	14	45	4.0	6.0
4	周龙	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	2	1	1.0	1.0