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摘要:
采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300 nm-2μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40 nm.与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300-700 K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为10.6%,700 K下晶格热导率的降低幅度达16.64%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700 K时其最大ZT值达到0.49,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响
来源期刊 物理学报 学科 化学
关键词 熔体旋甩 n型Insb化合物 微结构 热电性能
年,卷(期) 2010,(4) 所属期刊栏目 物理学交叉学科及有关科学技术领域
研究方向 页码范围 2860-2866
页数 分类号 O6
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐新峰 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 78 440 12.0 18.0
2 李涵 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 20 73 5.0 7.0
3 苏贤礼 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 14 45 4.0 6.0
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熔体旋甩
n型Insb化合物
微结构
热电性能
研究起点
研究来源
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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