熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构及热电性能的影响

• 作者: 唐新峰 李涵 苏贤礼
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 熔体旋甩 n型Insb化合物 微结构 热电性能
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 2860-2866
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相InSb化合物,研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及热电性能的影响.结果表明,熔体旋甩得到的薄带自由面主要由300 nm-2μm的小柱状晶组成,薄带接触面为非晶或精细纳米晶,薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体,尺寸约为40 nm.与熔融+放电等离子体烧结制备样品相比,在测试温度范围内(300-700 K),试样的电导率略有下降,但Seebeck系数显著增加,热导率和晶格热导率显著降低,室温下晶格热导率降低幅度约为10.6%,700 K下晶格热导率的降低幅度达16.64%,熔融+熔体旋甩+放电等离子体烧结制备的InSb化合物试样在700 K时其最大ZT值达到0.49,与熔融+放电等离子体烧结试样相比提高了29%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
2	李涵	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	20	73	5.0	7.0
3	苏贤礼	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	14	45	4.0	6.0