输入保护设计典型应用

• 作者: 林楠 赵峰
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 设计 应用 输入
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 20-21
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2009.01.007

摘要

论述了CMOS集成电路 ESD保护的必要性.接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等,采用适当的ESD保护技术,1.2μm CMOS集成电路的ESD能力可以达到2000V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵峰	中国电子科技集团公司第四十七研究所	7	27	2.0	5.0
2	林楠	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	4	1.0	2.0