ZnO本征缺陷的第一性原理研究

• 作者: 丁增辉 杨建华 罗达峰 谭志中
• 来源期刊: 长春理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 能带结构 电子态密度 赝势法
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 565-568,576
• 页数: 5页
• 分类号: O47|O77
• 字数: 3666字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-9870.2009.04.012

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对纯净ZnO和本征缺陷ZnO的电子结构进行了比较研究.结果表明:纯净ZnO中氧原子或者锌原子的减少都会使得ZnO的禁带宽度增大,O空位与Zn反位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷.O原子的减少,或者Zn原子的增加,都将导致Zn-Zn原子间的相互作用增强,使得Zn-3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭志中	南通大学理学院	78	454	13.0	18.0
2	丁增辉	华南师范大学物理与电信工程学院	2	11	2.0	2.0
3	杨建华	南通大学理学院	41	131	6.0	10.0
4	罗达峰	南通大学理学院	14	137	6.0	11.0