激光二极管侧面抽运平板Nd:LuVO4晶体热效应

• 作者: 史彭 李金平 范婷 高峰
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 Nd:LuVO4晶体 温度场 热形变场
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1923-1927
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093608.1923

摘要

在解析热分析理论的基础上,建立了平板Nd:LuVO4激光晶体在激光二极管阵列侧面抽运时的导热微分方程.通过对方程的求解,得到了Nd:LuVO4晶体内部温度场解析式,热形变场分布、温度场和热形变场的数值模拟表明,当抽运光功率为40W,抽运区域为1 mm×4 mm时,晶体在x方向的最高相对温升为11.63 K,y和z方向的最高温升为11.00 K;在x,y,z三方向上的热形变量分别为0.050μm,0.034 μm和0.48μm.这一结果可为Nd:LuVO4激光器设计提供理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史彭	西安建筑科技大学理学院	77	614	15.0	21.0
2	高峰		33	73	5.0	7.0