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文献信息
篇名 新一代CoolMOS C6和第三代SiC二极管提高综合性能
来源期刊 电子设计技术 学科 工学
关键词 Mosfet CoolMOS OptiMOS 英飞凌
年,卷(期) 2009,(8) 所属期刊栏目 技术前沿
研究方向 页码范围 26
页数 1页 分类号 TP3
字数 1171字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1023-7364.2009.08.010
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研究主题发展历程
节点文献
Mosfet
CoolMOS
OptiMOS
英飞凌
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子设计技术
月刊
1023-7364
11-3617/TN
16开
北京市
1994
chi
出版文献量(篇)
5532
总下载数(次)
6
总被引数(次)
1789
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