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摘要:
采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90min的热处理。实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu11In9相;将Cu11In9相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu11In9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制。
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文献信息
篇名 Cu-In系中Cu11In9相的生长动力学研究
来源期刊 材料导报:纳米与新材料专辑 学科 物理学
关键词 金属间化合物 Cu-In预制层 生长动力学 Cu11In9相 扩散
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 261-263
页数 3页 分类号 O781
字数 语种
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研究主题发展历程
节点文献
金属间化合物
Cu-In预制层
生长动力学
Cu11In9相
扩散
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报:纳米与新材料专辑
半年刊
1005-023X
50-1078/TB
重庆市渝北区洪湖西路18号
出版文献量(篇)
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