嵌入单量子点Aharonov-Bohm环中的尺寸和近藤屏蔽效应

• 作者: 吴绍全 尹析明
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 持续电流 杂质磁化率 宇称效应 近藤效应 近藤屏蔽云
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 677-683
• 页数: 7页
• 分类号: O413.2
• 字数: 5782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.03-032

摘要

使用单杂质的Ansderson模型, 我们从理论上研究了一个嵌入单量子点Aharonov-Bohm环系统处在近藤区时的基态性质, 并用slave-boson平均场方法求解了该模型. 我们的结果表明:在零温, 当介观环内电子平均能级间隔大于近藤关联能时, 系统内仍然存在一个被减弱了的近藤效应;系统的基态性质依赖于系统的宇称和环的大小;而尺寸效应和近藤屏蔽效应的共存导致了系统丰富的物理性质. 同时, 可以通过测量介观环中的持续电流和杂质磁化率, 达到探测近藤屏蔽云的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴绍全	四川师范大学物理与电子工程学院	30	53	4.0	5.0
2	尹析明		16	51	4.0	6.0