GaAs第一性原理研究

• 作者: 陈启燊 雷天民
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 密度泛函理论 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 69-71
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1035字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.04.020

摘要

为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分渡态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面渡赝势方法.研究证明,其具有广泛的应用领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈启燊	西安电子科技大学技术物理学院	1	12	1.0	1.0
2	雷天民	西安电子科技大学技术物理学院	12	71	5.0	8.0