用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷

• 作者: 何秀坤 曹全喜 李劫 秦涛 章安辉
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: KOH腐蚀 微管 SiC 计数
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.05.024

摘要

用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征.通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等.从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	何秀坤	中国电子科技集团公司第46研究所质量检验中心	7	9	2.0	3.0
3	章安辉	中国电子科技集团公司第46研究所质量检验中心	11	12	2.0	2.0
4	李劫	西安电子科技大学技术物理学院	1	0	0.0	0.0
5	秦涛	西安电子科技大学技术物理学院	2	2	1.0	1.0