MOSFET基分布式放大器的研究进展

• 作者: 李雪 赵萌 韩波 高建军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 分布式放大器 金属氧化物场效应晶体管 互补金属氧化物场效应晶体管 砷化镓金属半导体场效应晶
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 574-578
• 页数: 5页
• 分类号: TN72
• 字数: 4368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.022

摘要

对于一种基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的分布式放大器的设计原理做了较为详细的阐述.从增益单元的设计、匹配网络和低噪声特性的改进三个不同的方面,介绍了MOSFET基分布式放大器的研究进展并展望了MOS-FET基分布式放大器的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雪	华东师范大学信息科学技术学院	12	116	6.0	10.0
2	韩波	华东师范大学信息科学技术学院	6	30	3.0	5.0
3	高建军	华东师范大学信息科学技术学院	24	42	3.0	5.0
4	赵萌	华东师范大学信息科学技术学院	3	14	2.0	3.0