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摘要:
采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种低功耗的超高频有源RFID标签芯片射频接收前端电路.其中,低噪声放大器(LNA)采用共源共栅源极电感负反馈差分结构,下变频混频器(Mixer)采用吉尔伯特(Gilbert)有源双平衡结构.通过整体及模块电路优化,该电路在较低功耗下仍然具有较好性能.仿真结果表明,整个接收端功耗仅为14 mW,与传统射频前端芯片相比,功耗降低53%;整体增益为21.6 dB,噪声系数7.1 dB,三阶输入截止点-18.9 dBm,满足有源UHF-RFID标签芯片低功耗高性能的应用需求.
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文献信息
篇名 低功耗有源UHF-RFID标签芯片射频前端的设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 超高频 有源射频识别 低噪声放大器 混频器 接收前端
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 固体电路
研究方向 页码范围 1031-1034
页数 4页 分类号 TN4
字数 2615字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.010
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙玲玲 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 68 213 8.0 9.0
2 章少杰 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 4 21 3.0 4.0
3 洪慧 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 7 28 4.0 5.0
4 罗世钦 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室 2 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
超高频
有源射频识别
低噪声放大器
混频器
接收前端
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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27643
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