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摘要:
在InSb焦平面探测器(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需要在表面镀制增透膜,增大InSb芯片对红外光的吸收.本文介绍了采用磁控溅射方法镀制不同厚度的ZnS膜,测量其光谱透过率及反射率,利用红外焦平面测试系统比较了ZnS膜和SiO2膜的增透效果,结果表明磁控溅射的ZnS膜具有更优的增透效果和均匀性.
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文献信息
篇名 焦平面探测器ZnS增透技术研究
来源期刊 内江科技 学科 地球科学
关键词 InSb焦平面探测器 ZnS 增透 磁控溅射
年,卷(期) 2009,(11) 所属期刊栏目 技术创新
研究方向 页码范围 90,93
页数 2页 分类号 P3
字数 1625字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-1436.2009.11.079
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王海珍 11 33 4.0 4.0
2 郑克霖 4 14 2.0 3.0
3 傅月秋 3 6 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
InSb焦平面探测器
ZnS
增透
磁控溅射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
内江科技
月刊
1006-1436
51-1185/T
大16开
四川省内江市
1980
chi
出版文献量(篇)
24629
总下载数(次)
43
总被引数(次)
35459
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