英飞凌宣布推出OptiMOS^TM375VMOSFET

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 开关模式电源 电源产品 品质因素 导通电阻 负载条件 功率损耗 D类功放
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 页码范围: I0002
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

英飞凌科技在中国国际电源展览会上宣布推出OptiMOS^TM375V功率MOSFET系列。该系列产品具备极好的导通电阻（RDS（on））和品质因素（FOM，Qg^＊RDS（on））特性，可在任何负载条件下．降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗．并改善产品的整体能效。