带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器

• 作者: 崇峰 林涛 段玉鹏 郑凯 马骁宇
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 光学灾变损伤 非吸收窗口 量子阱混杂 AlGaInP
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 104-109
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20093601.0104

摘要

在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一.采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术二次外延生长了大功率657 nm红光半导体激光器结构,通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口.实验发现扩散温度550 ℃,扩散时间[20 min时,得到的非吸收窗口最为有效,激光器连续工作的无扭折输出功率大于100 mW,超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍,激光器的斜率效率提高了23%.测量该类器件的温度特性发现,环境温度为20～70 ℃时,其输出功率均可大于50 mW,计算得到激光器的特征温度约为89 K,波长增加率约为[0.24 nm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林涛	西安理工大学电子工程系	18	40	4.0	5.0
2	郑凯	中国科学院半导体研究所	15	61	6.0	7.0
3	马骁宇	中国科学院半导体研究所	93	616	12.0	21.0
4	段玉鹏	西北大学物理系	2	8	1.0	2.0
5	崇峰	中国科学院半导体研究所	2	10	2.0	2.0