基于Zn2SiO4:Mn的成像器件紫外增强薄膜制备及表征

• 作者: 倪争技 刘猛 庄松林 张大伟 黄元申
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 成像器件 紫外响应 Zn2SiO4∶Mn薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 2106-2111
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2875字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2009.09.006

摘要

在CCD、CMOS等硅基光电成像器件的光敏面镀下变频薄膜将紫外波段的光变为可见波段的光,可实现CCD、CMOS等硅基光电成像器件的紫外响应.考虑Zn2SiO4∶Mn粒子直径小,稳定性好,荧光量子效率高等优点,本文用"旋涂法"在石英基底上生成Zn2SiO4∶Mn紫外增强薄膜,并对其透射光谱、吸收光谱、激发光谱与发射光谱等光学性质进行分析.实验测得薄膜在300 nm以下透过率极低并具有很强的吸收,在300 nm以上透过率很高且吸收很弱;激发峰在260 nm,发射峰在525 nm,可以实现将紫外光转化为可见光.分析了Zn2SiO4∶Mn薄膜的均匀性、厚度、稳定性等物理性质对其变频性能的影响.实验结果表明,利用Zn2SiO4∶Mn薄膜可以有效增强CCD等光电器件的紫外响应,实现光电器件的紫外探测.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张大伟	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	117	391	11.0	15.0
2	庄松林	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	199	1335	20.0	29.0
3	黄元申	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	56	348	11.0	16.0
4	倪争技	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	43	341	12.0	17.0
5	刘猛	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	8	17	3.0	3.0