继电保护专用芯片存储器抗干扰性研究与设计

• 作者: 刘东生 刘浩 曹飞飞 邹雪城
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 微机继电保护 专用芯片 抗干扰 存储器层次 嵌入式存储器
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TN409|TM774
• 语种: 中文

摘要

目前依赖于外置存储器的继电保护装置容易受到现场复杂电磁环境的干扰而影响系统的正常运行,采用片内存储器层次结构设计的专用芯片可有效地降低电磁干扰对数据读写影响程度.从片内FIFO性能分析、嵌入式DRAM的实现工艺、片内SDRAM控制器的抗干扰设计等方面说明了提高片内存储器可靠性的方法和原理.结果显示该方法能够显著地提高芯片的抗干扰能力,从而提高了不依赖于外置存储器的继电保护装置的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘浩	华中科技大学电子科学与技术系	48	336	10.0	15.0
2	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
3	曹飞飞		3	1	1.0	1.0
4	刘东生	华中科技大学电子科学与技术系	2	30	1.0	2.0