原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
文章以一款24位高端SOC的设计经历,简单描述了soc芯片的外部存储器接口设计以及实现方式.该方案的一个特点是:提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换.并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接口设计.
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基于SOC的高性能存储器控制器设计
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SRAM
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可配置性
SOC
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高端SOC芯片的外部存储器接口设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 SOC 接口设计 SRAM NandFlash Verilog Memory Switch
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 71-73,76
页数 4页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.01.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪辉 上海交通大学微电子学院 33 81 4.0 7.0
2 王世明 上海交通大学微电子学院 12 55 5.0 7.0
3 季爱慈 上海交通大学微电子学院 2 3 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
SOC
接口设计
SRAM
NandFlash
Verilog
Memory Switch
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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