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高端SOC芯片的外部存储器接口设计
高端SOC芯片的外部存储器接口设计
作者:
季爱慈
汪辉
王世明
原文服务方:
微电子学与计算机
SOC
接口设计
SRAM
NandFlash
Verilog
Memory Switch
摘要:
文章以一款24位高端SOC的设计经历,简单描述了soc芯片的外部存储器接口设计以及实现方式.该方案的一个特点是:提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换.并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接口设计.
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文献信息
篇名
高端SOC芯片的外部存储器接口设计
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
SOC
接口设计
SRAM
NandFlash
Verilog
Memory Switch
年,卷(期)
2006,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
71-73,76
页数
4页
分类号
TN4
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-7180.2006.01.018
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
汪辉
上海交通大学微电子学院
33
81
4.0
7.0
2
王世明
上海交通大学微电子学院
12
55
5.0
7.0
3
季爱慈
上海交通大学微电子学院
2
3
1.0
1.0
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研究主题发展历程
节点文献
SOC
接口设计
SRAM
NandFlash
Verilog
Memory Switch
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
总被引数(次)
59060
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