有限温度下位错环的脱体现象

• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 单晶铜 位错环 分子动力学 位错源
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7934-7946
• 页数: 13页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

在FCC单晶铜中构造了滑移面为(111),伯格矢量为6:[112]/6的圆形不完全位错环.采用分子动力学方法模拟了该位错环在0-350 K温度区间内的自收缩过程.模拟结果发现:零温度下,位错不能跨越Peierls-Nabarro势垒运动,迁移速度为0;50 K温度下,螺型和刃型位错具有基本相同的迁移速度;随温度增加,刃型位错具有较大迁移速度;温度较高时,位错核宽度进一步增加;小位错环周围的局部应力,引起4个脱体位错环;脱体位错环在原位错的应力作用下逐渐生长,原位错消失后,在自相互作用下收缩消失.这是与Frank-Read,L型、双交滑位错源(冷的,应力引起的)不同的新位错源机理(热激发机理);温度进一步提高时,新位错产生区域的局部应力梯度更大,脱体位错更早出现.