Si在水汽中氧化传质机制的H218O/H216O同位素示踪研究

• 作者: 刘平 李劲 蒋益明 邓博 钟澄 龚佳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 同位素示踪 H218O 替位扩散 硅
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1305-1309
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.101

摘要

采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100 ℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素16O和18O在氧化膜中浓度分布.结果表明H2O蒸汽中氧化产物为非晶态SiO2.H216O/H218O接续氧化后,16O与18O在氧化膜中呈渐次梯度分布,表明Si在水汽中的氧化传质机制为替位扩散机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓博	复旦大学材料科学系	13	131	6.0	11.0
2	钟澄	复旦大学材料科学系	12	174	6.0	12.0
3	李劲	复旦大学材料科学系	50	355	9.0	17.0
4	蒋益明	复旦大学材料科学系	45	486	11.0	21.0
5	刘平	复旦大学材料科学系	48	47	4.0	5.0
6	龚佳	复旦大学材料科学系	9	74	5.0	8.0