第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN

• 作者: 章勇 范广涵 赵德刚 邢海英
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Mg Si和Mn共掺GaN 电子结构 居里温度(Tc) 光学性质
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 450-458
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.070

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(Tc)升高,并在1.0 eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3 eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使Tc升高,且在低能区无光吸收现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	赵德刚	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	42	214	9.0	12.0
3	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0
4	邢海英	华南师范大学光电子材料与技术研究所	7	51	4.0	7.0