ZnO纳米线阵列膜的自组装生长及其金属接触特性

• 作者: 崔万照 崔吾元 张瑞智 张雯 徐友龙 贺永宁
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌纳米线 自组装生长 金属-半导体接触
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 17-20
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 语种: 中文

摘要

以磁控溅射制备的ZnO纳米晶薄膜作为籽晶层,用水热法在80℃氧化铟锡(indum tin oxide, ITO)玻璃衬底上,实现了大面积ZnO纳米线阵列膜的取向生长,制备了3种金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)结构的ZnO半导体纳米线阵列膜样品,测试了薄膜样品的光学特性和I-V特性.结果表明:在相同的生长液浓度下,籽晶层对所乍长的纳米线尺度分布有显著影响.所制备的纳米线薄膜在室温下具有显著的紫外带边发射特性.ZnO纳米线/Ag和ZnO纳米线/Al的金属-半导体接触均具有明显的Schottky接触特性,而ZnO纳米线,Au的金属-半导体接触具有明显Ohmic接触特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张瑞智	西安交通大学电子与信息工程学院	21	145	7.0	11.0
2	贺永宁	西安交通大学电子与信息工程学院	58	265	9.0	12.0
3	徐友龙	西安交通大学电子与信息工程学院	47	499	14.0	21.0
4	张雯	西安交通大学理学院	41	232	9.0	14.0
5	崔吾元	西安交通大学电子与信息工程学院	5	13	2.0	3.0