半氟化的石墨片电子和磁特性

• 作者: 高本领
• 来源期刊: 盐城工学院学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 半氟化 反铁磁半导体
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 5-8
• 分类号: O47
• 字数: 800字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5322.2010.04.002

摘要

通过密度泛函理论研究了半氟化石墨片的电子结构和磁性特点,结果发现它是带隙约为1.00 eV的反铁磁间接带隙半导体.由于氟原子对被氟化的碳原子的吸引作用,被氟化的碳原子与未氟化的碳原子分属于两个不同平面,面间距离达到0.286 (A),C-C键长也增加到1.501 (A).通过半氟化,实现了材料由无磁性向反铁磁的转变,并打开了带隙,这预示着在未来的纳米功能材料中可能的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高本领	淮阴工学院数理学院	13	12	1.0	3.0