低相位噪声∑-△小数频率合成器

• 作者: 乐建连 于云丰 叶甜春 甘业兵 马成炎
• 来源期刊: 中国科学院研究生院学报
• 学科: 工学
• 关键词: ∑-△调制器 频率合成器 MASH CMOS 锁相环
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 782-787
• 分类号: TN742.2
• 字数: 1706字
• 语种: 中文

摘要

为使∑-△小数频率合成器获得低带内相位噪声,在设计中调制器采用一种5阶4bit输出的单环∑-△调制器,比3阶MASH(Multi-stAge noise-SHaping)结构有着更低的带内量化噪声.一款具有低带内相位噪声和快速锁定特点的2.6GHz∑-△小数频率合成器在0.25μmCMOS工艺中实现.测试结果显示,该频率合成器在40KHz频率偏移处相噪-86.5dBc/Hz,杂散小于-65dBc.在2.5V的电源供电下,电流为25.5mA,整个芯片面积3.9mm2(核心电路面积0.63mm.).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马成炎	中国科学院微电子研究所	50	182	8.0	10.0
3	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
4	于云丰	中国科学院微电子研究所	7	13	2.0	3.0
7	甘业兵	中国科学院微电子研究所	16	43	4.0	5.0
8	乐建连		5	7	2.0	2.0