C掺杂对Al中He行为的影响

• 作者: 刘婷婷 刘柯钊 向鑫 王小英 罗丽珠 陈长安
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al C掺杂 He行为 鼓泡 微观结构
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 318-323
• 页数: 6页
• 分类号: TL341
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1037.2009.00590

摘要

用离子注入技术实现了Al表面C元素的掺杂,并利用XPS,XRD,TEM和SEM研究了C掺杂对Al中离子注入He行为的影响.结果表明,掺杂的C在Al表面形成了Al_4C_3,随着C掺杂量的增加,Al表面组织的择优取向和晶胞体积发生改变,从而影响了Al中的He离子注入行为,预先掺杂的C对He离子注入Al表面的鼓泡行为有重要影响,其影响程度与掺杂剂量有关,小剂量C掺杂后,能有效抑制鼓泡的长大,并使Al表面鼓泡均匀分布;更高剂量C掺杂后,C对表面鼓泡的抑制作用减弱,甚至加剧He离子的辐照损伤,Al表面出现孔洞和剥落现象,掺杂的C对Al基体的微观结构也有很大影响,

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王小英		11	45	4.0	6.0
2	陈长安		30	134	8.0	10.0
3	刘柯钊		36	150	8.0	9.0
4	罗丽珠		7	23	3.0	4.0
5	向鑫		13	32	4.0	5.0
6	刘婷婷		14	43	4.0	6.0