CdTe和HgTe电子结构的紧束缚模型计算

• 作者: 廖云龙 赵纪军
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 紧束缚模型 CdTe HgTe 电子结构
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 795-800
• 分类号: O472+.4
• 字数: 3628字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.04.031

摘要

基于局域密度近似(LDA或GGA)的密度泛函理论计算往往低估体系的禁带宽度,而这一低估对窄带隙半导体尤为严重.尽管基于混合泛函的密度泛函理论能有效地修正这一误差,但是由于计算量较大仍无法用于计算较大体系.本文发展了一组能够比较准确描述CdTe和HgTe晶体电子结构的紧束缚参数.将基于混合泛函的密度泛函计算结果作为输入,我们构建了正交的sp3s*基组下的紧束缚模型. 此模型能够比较准确地描述能带结构在费米面附近4 eV范围内的色散关系.利用当前模型计算了CdTe和HgTe非晶的电子态密度,计算结果与他人的理论计算和实验值符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵纪军	大连理工大学物理与光电工程学院	31	160	6.0	12.0
2	廖云龙	大连理工大学物理与光电工程学院	1	2	1.0	1.0