高功率中红外半导体碟形激光器的进展

• 作者: 王贞福
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 10-16
• 分类号: TN2
• 字数: 5069字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1180.2010.08.002

摘要

短波长高性能激光器用途广泛,包括中红外光谱范围在1.9～2.5 μm的远距离通信、大气遥感、大气污染检测.然而,满足该性能特点的简洁高效的激光光源尚未利用.在过去几年,主要的进展集中在发展光泵浦(AlGaIn) (AsSb)量子阱半导体碟形激光器上,发射波长为2x μm的中红外谱区,连续输出功率超过6 W,脉冲功率超过16 W.此外,单频工作线宽<4 MHz,调谐宽度高达170 nm,光束质量接近衍射极限.这些优异的性能只有通过高质量的外延生长、合理的器件设计、高效的热处理才能得以实现.