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摘要:
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
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文献信息
篇名 Sn量子点的研究进展
来源期刊 材料导报:纳米与新材料专辑 学科 工学
关键词 Sn量子点 生长技术 光学性质 电学性质 理论计算
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 74-76
页数 3页 分类号 TN4
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 顾玉宗 河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室 52 384 13.0 17.0
2 张伟风 河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室 66 248 8.0 10.0
3 王科范 河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室 8 9 2.0 2.0
4 赵希磊 河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室 3 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
Sn量子点
生长技术
光学性质
电学性质
理论计算
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
材料导报:纳米与新材料专辑
半年刊
1005-023X
50-1078/TB
重庆市渝北区洪湖西路18号
出版文献量(篇)
2553
总下载数(次)
16
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