Sn量子点的研究进展

• 作者: 张伟风 王科范 赵希磊 顾玉宗
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: Sn量子点 生长技术 光学性质 电学性质 理论计算
• 年，卷（期）: cldbnmyxclzj_2010,（1）
• 页码范围: 74-76
• 页数: 3页
• 分类号: TN4

摘要

Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等，具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术，综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果，指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾玉宗	河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室	52	384	13.0	17.0
2	张伟风	河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室	66	248	8.0	10.0
3	王科范	河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室	8	9	2.0	2.0
4	赵希磊	河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室	3	0	0.0	0.0