8-羟基喹啉锂的光电性能和取代基效应的密度泛函理论

• 作者: 房晓红 许并社 郝玉英
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 8-羟基喹啉锂 取代基效应 光电性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 416-420
• 分类号: TN383.1|O641.121
• 字数: 2675字
• 语种: 中文

摘要

采用密度泛函理论(DFT)较为系统地研究了给、吸电子取代基对8-羟基喹啉锂(Liq)光电性能的影响.研究结果表明:不同取代基与母体形成不同的共轭,取代基-CN、-OCH3很好地参与了整个π体系共轭,对体系性质影响较大;吸电子基-CF3、-CN、-Cl在5-位取代都使Liq的最高占据轨道(HOMO)、最低空轨道(LUMO)能级降低;给电子基-CH3、CH3 CH2 CH2、-OCH3在5-位取代都使Liq的LUMO、HOMO升高,带隙减小,给电性越强,影响越显著;-CN在5-位取代,显著增加了Liq的电子亲和势,降低了电子重组能,使电子更易于注入和传输.与Liq及其它衍生物相比,5-CN-Liq是一种更好的电子注入和传输材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许并社	太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室	335	3432	28.0	45.0
2	房晓红	太原理工大学矿业工程学院	18	70	3.0	8.0
6	郝玉英	太原理工大学理学院	45	231	9.0	13.0