GeCl4含氢杂质脱除工艺研究

• 作者: 卢宇飞 王少龙 雷霆
• 来源期刊: 昆明冶金高等专科学校学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光纤 GeCl4含氢杂质 脱除技术
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1-5
• 分类号: TF804.1
• 字数: 4088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-0479.2010.05.001

摘要

制备光纤用GeCl4需要二项关键技术的支撑,分别是深度脱除GeCl4中的金属杂质和含氢杂质.深度脱除金属杂质,国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现.深度脱除含氢杂质,则是整个光纤用GeCl4制备工艺的技术难题.目前,国内缺乏能生产高品质光纤用GeCl4的技术和厂家,绝大多数光纤用GeCl4产品依赖国外进口.因此,研究脱除GeCl4含氢杂质的工艺技术,对于我国锗产业打破国外技术封锁,提高经济效益和国际竞争力有着重要意义.以某厂高纯GeCl4为原料,选择蒸馏工艺进行试验,对GeCl4中含氢杂质的去除工艺技术进行研究,为制备高品质光纤用GeCl4提供技术参考和支持.研究结果表明,共同蒸馏工艺提纯GeCl4,可以较好地除去GeCl4中的含氢杂质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷霆	昆明冶金高等专科学校校长办公室	68	337	9.0	15.0
2	王少龙		26	211	6.0	14.0
3	卢宇飞	昆明冶金高等专科学校校长办公室	12	87	5.0	9.0