pH值调节剂对Si片CMP速率的影响

• 作者: 刘效岩 刘玉岭 孙鸣 杨金波 胡轶
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有机碱 KOH 硅片 溶解度 抛光速率
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 643-646
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2339字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.10.012

摘要

通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理.使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片的CMP速率先增大后减小,pH值为10.85时,Si片的抛光速率最大,为280 nm/min;使用无机碱KOH代替有机碱调节抛光液的pH值时,抛光速率随pH值的增加而增大.无论使用何种pH值调节剂,pH值为10～11.5时,纳米SiO2溶胶的粒径能够稳定在43 nm左右.随着pH值的升高,Si片与抛光液的反应越来越强烈,其反应产物在抛光液中的溶解度也会越来越大.pH值调节剂影响Si片表面钝化膜的形成速率和去除速率,并最终影响Si片化学机械抛光的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	刘效岩	河北工业大学微电子研究所	20	133	8.0	10.0
3	胡轶	河北工业大学微电子研究所	8	60	6.0	7.0
4	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
5	杨金波	河北工业大学微电子研究所	2	9	1.0	2.0