D-T脉冲中子发生器随钻中子孔隙度测井的蒙特卡罗模拟

• 作者: 侯爽 张锋 靳秀云
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 地球科学
• 关键词: D-T脉冲中子发生器 241Am-Be 中子源 随钻测井 中子孔隙度测井 蒙特卡罗模拟
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 放射性同位素应用技术
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: P631.8|TL816
• 字数: 4934字
• 语种: 中文

摘要

利用蒙特卡罗方法模拟研究了D-T脉冲中子发生器和241Am-Be中子源产生的中子与地层的作用过程,以探讨D-T脉冲中子发生器在随钻中子孔隙度测井中的应用价值.模拟结果显示,使用这两种中子源,热中子计数均随源距增加而呈指数下降;孔隙度较小时,两者的计数差异较小,当地层孔隙度达到40%时,D-T脉冲中子发生器产生的热中子和超热中子计数均比241Am-Be中子源高很多,其分布范围也更宽,近探测器的源距选择20～30 cm,远探测器的源距选择约60～70 cm;D-T脉冲中子发生器用于中子孔隙度测井时对地层孔隙度的灵敏度降低,而相同源距条件下探测深度几乎不变.以上结果提示,利用D-T脉冲中子发生器可以进行补偿中子孔隙度测井,在增加源距的同时既可以保证计数统计性,又可以提高灵敏度和探测深度,在随钻测井仪器设计中可以取代241Am-Be中子源.