葡萄糖掺杂MgB2块材超导电性研究

• 作者: C.H.Cheng 孙辉辉 张勇 李仪成 杨烨 王磊 王雅真 赵勇
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: MgB2 临界电流密度 热处理温度 磁通钉扎
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 346-349
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

本文采用化学溶液法制备了在不同热处理条件下葡萄糖掺杂的MgB2块材样品.并对样品的晶体结构及超导电性进行了系统分析.X射线衍射结果表明掺杂样品a轴方向上的晶格参数减小,说明MgB2晶格中部分硼原子被葡萄糖分解后的活性碳原子所替代.此外,在两种不同烧结温度下,5 wt%C6H12O6掺杂量对Tc都有较小的抑制,但不可逆场和高场下的载流能力得到了提高.在10K,5T下,掺杂样品的临界电流密度可达104 A/cm2,比纯样Jc值大2～3倍,这表明掺杂样品的磁通钉扎性能得到了有效改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张勇		72	394	11.0	18.0
2	王磊		57	472	14.0	20.0
3	赵勇		92	334	11.0	17.0
4	杨烨		13	2	1.0	1.0
5	C.H.Cheng		2	0	0.0	0.0
6	王雅真		3	0	0.0	0.0
7	李仪成		4	0	0.0	0.0
8	孙辉辉		2	0	0.0	0.0