有限元法分析栅极对CNTs场发射性能的影响

• 作者: 慕晓文 郭永庆
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 场发射 栅极冷阴极 碳纳米管 场增强因子
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 570-573
• 分类号: O469
• 字数: 2284字
• 语种: 中文

摘要

建立了栅极冷阴极结构和二极管结构的碳纳米管(CNTs)场发射阴极,利用有限元素法对发射体的场发射性能进行了模拟,进一步计算并分析了栅极、栅极电压以及栅孔半径等参数对碳纳米管尖端电场分布和场发射性能的影响.结果表明,栅极对碳管尖端的激发电场具有很强的增强作用;栅极电压越高,场增强因子越大;最佳场发射栅孔半径为碳纳米管半径的10倍;栅极使得碳纳米管的开启电压降低,发射电流密度增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	慕晓文	兰州理工大学理学院	1	0	0.0	0.0