IBAD技术制备涂层导体用YSZ缓冲层长带的研究

• 作者: 冯峰 史锴 吴蔚 王志 韩征和
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 离子束辅助沉积 涂层导体 YSZ 缓冲层
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 116-120
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

在钇钡铜氧(YBCO)高温超导涂层导体制备路线中,离子束辅助沉积技术(IBAD)是两大主流技术路线之一,取得了最为突出的研究成果.本文简要介绍了IBAD技术制备YBCO涂层导体的最新研究进展;并采用离子束辅助沉积技术在哈氏合金(Hastelloy)基底上成功制备了1米长具有钇稳定氧化锆(YSZ)缓冲层的金属基带.采用X射线衍仪(XRD)分析YSZ缓冲层的取向;利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(FESEM)观察其表面形貌.获得了可以实际应用的IBAD-YSZ/Hastelloy缓冲层长基带,可以在该基带上研制其他缓冲层以制备YBCO高温超导涂层导体带材.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志		104	937	15.0	28.0
2	韩征和		33	131	6.0	10.0
3	史锴		7	23	4.0	4.0
4	冯峰		30	102	7.0	8.0
5	吴蔚		5	0	0.0	0.0