激光二极管双侧面抽运平板Nd:GdVO_4晶体热效应

• 作者: 史彭 曹海宾 李金平 范婷 高峰
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 平板Nd GdVO_4晶体 温度场 热形变场
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 339-344
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103702.0339

摘要

以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:GdVO_4晶体在激光二极管阵列双侧抽运时的导热微分方程.通过方程求解,得到平板Nd:GdVO_4晶体内部温度场分布的解析式和热形变分布.温度场和热形变场的数值模拟表明,当抽运光平均功率为10 W,抽运区域为1 mm×1 mm时,4组激光二极管阵列光源在3处不同位置的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有很大差异;3处抽运光源位置所产生的温度分布和热形变量对比,得到了抽运光源在位置1,2处所产生的温升和热形变量相对较小,位置3处最大.