75伏功率TrenchMOSFET设计

• 作者: 王庚
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Trench MOSFET 设计
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 347-350
• 分类号: TN303
• 字数: 3046字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2010.04.015

摘要

简单介绍了TrenchMOSFET的基本结构和工作原理.以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类器件的设计方法.依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据.从外延片的选择到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果.