低温开放体系配阴离子对合成硅基铝多孔材料的影响

• 作者: 刘少友 唐文华 文正康 杨晓艳 蒋天智
• 来源期刊: 贵州化工
• 学科: 工学
• 关键词: 配阴离子 铝掺杂氧化硅 形成机理 吸附性能
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 26-30
• 分类号: TB383
• 字数: 5150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-9411.2010.03.008

摘要

以十六烷基三甲基溴化铵为模板,六水氯化铝和十八水硫酸铝在低温开放体系分别与正硅酸乙酯直接进行固/液反应, 合成非晶结构的铝掺杂氧化硅微介孔材料.并用XRD、HRTEM、SEM/EDS、低温N2吸附、FTIR和原子吸收光谱TAS等技术对产物的结构和吸附性能进行表征.探讨了微介孔的形成机理.结果表明,在酸性和阳离子表面活性剂共存条件下,所制得的铝掺杂氧化硅微介孔材料呈不规则形状,其孔壁均为无定型;掺杂金属铝进入氧化硅晶格.铝源中配阴离子不仅影响材料的物相织构、材料的元素组成,而且还影响其吸附性能.