具有三维连通网络结构的多孔SiC/C材料的电磁损耗特征

• 作者: 孙家言 张劲松 张洪涛 方志刚 李处森
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiC/C泡沫 三维连通网络结构 电磁损耗 微扰法 非本征磁损耗
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: TB333
• 字数: 6516字
• 语种: 中文

摘要

通过有机泡沫浸渍/高温炭化和热压固化/高温炭化两种工艺分别制备了具有宏观三维连通网络结构的SiC/C泡沫和显微三维连通多孔结构的SiC/C泡沫同质压制块.使用谐振腔微扰法对比测试了2 450 MHz频率下两种材料的电磁参数随电导率的变化.结果表明:随着电导率的增加,SiC/C泡沫及其同质压制块的介电常数实部ε_(r)'均逐渐增加;电损耗tgδ_e均先增加,达到最大值后逐渐减小;SiC/C泡沫的磁损耗tgδ_m不断增加,而其同质压制块的tgδ_m值则先快速增加,达到最大值后缓慢下降.当二者具有相同有效电导率时,SiC/C泡沫的ε_(r)'值比其同质压制块约小1/2,tgδ_e值至少大2倍,而压制块的tgδ_m值超过SiC/C泡沫4倍多.SiC/C泡沫及其同质压制块是非磁性的,它们的磁损耗均由其特殊结构与电磁场相互作用产生的,是一种非本征磁损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张劲松	中国科学院金属研究所	153	2921	28.0	48.0
2	李处森	中国科学院金属研究所	6	155	4.0	6.0
3	方志刚	中国科学院金属研究所	15	44	4.0	5.0
5	孙家言	中国科学院金属研究所	4	25	2.0	4.0
6	张洪涛	中国科学院金属研究所	5	62	3.0	5.0