一种两级CMOS运算放大器电源抑制比提高技术

• 作者: 吴贵能 周玮
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 两级 运算放大器 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 209-213
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

在解释了传统基本两级CMOS运算放大器低电源抑制比(PSRR)原因的基础上,提出了一种简单电路技术来提高传统基本两级CMOS运算放大器中频PSRR.该方法原理是通过改变偏置结构产生一个额外的信号支路在输出端跟随电源增益,这样在输出端可以得到近似为零的电源纹波增益,从而能提高运放的PSRR.采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下仿真结果显示,改进的运算放大器的PSRR在中频范围内比传统运算放大器可提高20 dB以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴贵能	重庆邮电大学光电工程学院	16	69	6.0	7.0
2	周玮	重庆邮电大学光电工程学院	12	56	6.0	7.0