InSb红外焦平面探测器结构应力的ANSYS分析

• 作者: 吕衍秋 孙维国 孟庆端 鲁正雄
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: ANSYS 焦平面 InSb 结构应力
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 431-434
• 分类号: TG454
• 字数: 2427字
• 语种: 中文

摘要

借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.Si读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和Si读出电路上的应力均达到最小值260MPa 和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁正雄		19	80	5.0	7.0
2	孟庆端	河南科技大学电子信息工程学院	35	101	5.0	8.0
4	吕衍秋		16	67	4.0	7.0
5	孙维国		20	99	5.0	8.0