单片分布式放大器的研制

• 作者: 严蘋蘋 洪伟 陈继新
• 来源期刊: 微波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分布式放大器 砷化镓 微波 毫米波
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 74-77
• 分类号: TN7
• 语种: 中文

摘要

采用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了单级和两级两种结构的微波毫米波单片分布式放大器.在设计中采用电阻-电容结构代替传统分布式放大器中的终端电阻以降低直流功耗,在输入端加入短路线增强静电保护.根据应用需求设计了相应的放大器电路结构,实现了两种分布式放大器,比较了这两种结构在增益与功率容限方面的特点.第1种分布式放大器采用单级四管结构,在10～40GHz频段内,增益为(9.4±1.1)dB,1dB压缩点最大输出功率为21.5dBm;第2种分布式放大器采用两级双管级联结构,在15～40GHz频段内,增益为(12.2±1.4)dB,1dB压缩点最大输出功率为17dBm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪伟	东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室	186	1727	20.0	32.0
2	陈继新	东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室	21	238	8.0	15.0
3	严蘋蘋	东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室	7	57	6.0	7.0