1053 nm超辐射发光二极管量子阱的设计

• 作者: 宋爱民 段利华 黄鑫
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光二极管 单量子阱 MOCVD
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 535-538
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值.用MOCVD生长器件,实验结果与理论计算值吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋爱民		8	74	3.0	8.0
2	黄鑫	重庆邮电大学光电工程学院	9	15	2.0	3.0
3	段利华		5	10	2.0	3.0