类铍C Ⅲ,N Ⅳ,O Ⅴ离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算

• 作者: 张建平 朱林 李雪梅 杨建会 舒晓琴
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子碰撞电离 相对论扭曲波 类铍离子
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 888-892
• 分类号: O562.4
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2010.05.016

摘要

本文使用相对论扭曲波近似计算了基态(1s2s21S)和亚稳态(2s2p3P)的类铍C Ⅲ,N Ⅳ和O Ⅴ离子的电子碰撞直接单电离截面.计算中包括了基态的2s壳层和亚稳态的2s、2p壳层的直接单电离而没有包括1s子壳层.其结果与现有的理论和实验数据进行了比较,相对论扭曲波近似结果在外型和大小上都与近期的实验数据很一致,且与其他理论结果相比,在近阑和高能范围内与实验数据符合得更好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张建平	乐山师范学院物理与电子工程学院	35	61	3.0	6.0
2	舒晓琴	乐山师范学院物理与电子工程学院	9	3	1.0	1.0
3	李雪梅	乐山师范学院物理与电子工程学院	33	91	5.0	8.0
4	杨建会	乐山师范学院物理与电子工程学院	27	22	3.0	3.0
5	朱林	乐山师范学院物理与电子工程学院	17	24	3.0	3.0