非晶硅太阳能电池背反ZnO:Al薄膜制备

• 作者: 刘石勇 张长沙 彭文博 曾湘波 石明吉 肖海波
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺铝氧化锌薄膜 背反电极 非晶硅太阳能电池 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TB32
• 语种: 中文

摘要

以ZnO:Al(2%Al_2O_3,质量分数)为靶材,用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZnO:Al薄膜,分析了各沉积参数对薄膜光电性能的影响.结果表明:溅射功率对ZnO:Al的透过率影响最大,其次是反应腔室压力,而衬底温度对透过率几乎没有影响.ZnO:Al的电阻率主要取决于衬底温度和溅射功率.综合考虑透过率和电阻率,确定了背反ZnO:Al的最佳沉积参数(衬底温度为200℃,溅射功率为200W,反虑腔室压力为0.6Pa),得到了透过率大于85%,电阻率最小为7.6×10~(-4)Ω·cm的ZnO:Al薄膜.制备了ZnO:Al/Ag/ss(stainless steel)背反电极,并将其用于非晶硅太阳能电池.与无背反的不锈钢衬底上的电池相比,非晶硅太阳能电池短路电流密度增加了16%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖海波	中国科学院半导体研究所	4	16	2.0	4.0
2	曾湘波	中国科学院半导体研究所	6	81	5.0	6.0
3	刘石勇	中国科学院半导体研究所	2	16	2.0	2.0
4	彭文博	中国科学院半导体研究所	2	16	2.0	2.0
5	石明吉	中国科学院半导体研究所	2	16	2.0	2.0
6	张长沙	中国科学院半导体研究所	2	16	2.0	2.0