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摘要:
在光子晶体中引入液晶缺陷,形成一维光子晶体液晶微谐振腔.用传输矩阵法研究了这种微谐振腔的温度特性,用E1液晶微谐振腔进行了模拟数值计算.计算结果表明,液晶微谐振腔的特性与温度和液晶分子排列密切相关;对于液晶排列沿平行介质表面的微谐振腔,当温度升高时缺陷峰波长向长波长方向漂移,半高宽度增大, 品质因子减小;而液晶排列沿介质表面法向的微谐振腔的温度变化情况则相反;温度灵敏度和透射峰高度均随温度升高而增大.温度特性为非线性关系,并随温度接近液晶相变点而变化迅速,与现有的各向同性材料微谐振腔的温度特性不同.
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文献信息
篇名 一维光子晶体液晶微谐振腔的温度特性
来源期刊 传感技术学报 学科 工学
关键词 光电子学 温度特性 传输矩阵 一维光子晶体 液晶微谐振腔
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 954-957
页数 分类号 TN929.11
字数 3344字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-1699.2010.07.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钱祥忠 温州大学物理与电子信息工程学院 36 242 8.0 14.0
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光电子学
温度特性
传输矩阵
一维光子晶体
液晶微谐振腔
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大16开
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1988
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