单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究

• 作者: 何捷 刘强 宋婷婷 林理彬 王晓中 王玲珑 郭英杰
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 化学
• 关键词: 光电性质 带隙宽度 电荷自洽离散变分法 二氧化钒
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 560-566
• 页数: 7页
• 分类号: O73|O614.51~+1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103702.0560

摘要

采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_(α)-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算.计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好.单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2.吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬		90	605	13.0	20.0
2	宋婷婷		19	154	7.0	12.0
3	刘强		66	449	13.0	19.0
4	何捷		48	382	11.0	17.0
5	郭英杰		4	4	2.0	2.0
6	王玲珑		3	3	1.0	1.0
7	王晓中		2	1	1.0	1.0