修饰LB膜法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩薄膜的光电性能

• 作者: 徐建华 杨亚杰 蒋亚东 郑华靖
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: PEDOT LB膜法 光电性能 测量
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 1501-1506
• 分类号: O647.2
• 字数: 4054字
• 语种: 中文

摘要

采用修饰LB膜法以二十烷酸(AA)LB膜为模板,通过3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)单体在LB膜亲水基团间聚合,制备了AA/PEDOT复合LB膜.UV-Vis、FT-IR和XPS分析表明EDOT在多层膜中有效聚合,生成了PEDOT导电聚合物;XRR和SIMS分析表明薄膜具有较好的层状有序结构,进一步研究发现EDOT在AA多层膜中的聚合破坏了原有LB膜的有序性,这可能与聚合过程对层状结构产生的破坏作用有关;采用四探针仪及半导体测试仪研究了薄膜导电性能,发现AA/PEDOT多层膜的电导率随处理时间的变化产生突变,这与多层膜中导电通道的"渝渗"有关,在有效导电网络连通后电导率发生了突变.测试结果还表明AA/PEDOT膜导电性明显优于PEDOT旋涂膜和ODA-SA/PEDOT-PSS复合膜,这是由于原位制备的PEDOT共轭度较高,且薄膜具有很好的层状有序结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东		17	98	5.0	9.0
2	郑华靖		4	3	1.0	1.0
3	徐建华		5	4	1.0	2.0
4	杨亚杰		5	4	1.0	2.0