大功率GaAs光导开关寿命实验研究

• 作者: 刘宏伟 刘金锋 李洪涛 江伟华 袁建强 谢卫平
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 光导开关 寿命 大功率
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 795-798
• 分类号: TM836
• 字数: 2056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20102204.0795

摘要

设计并制作了18 mm间隙的半绝缘GaAs光导开关,开关芯片采用标准半导体工艺制作并封装在陶瓷基板上.测试了光导开关在20 kV工作电压、1 kA工作电流时,不同重复频率工作的开关寿命,结果表明,开关寿命4 000次～7 000次,且随着重复频率的提高,开关寿命有所降低.初步分析了导致开关失效的原因为热损伤,包括局部发热导致的连接损伤和材料损伤以及整体发热导致的暗态电阻下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁建强	中国工程物理研究院流体物理研究所	20	162	7.0	12.0
3	李洪涛	中国工程物理研究院流体物理研究所	64	265	8.0	14.0
4	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
5	刘金锋	中国工程物理研究院流体物理研究所	14	110	7.0	10.0
6	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
7	江伟华	清华大学电机系	22	310	11.0	17.0