锰掺杂对Ba(Zr,Ti)O3陶瓷压电与介电性能的影响

• 作者: 丁南 伍君博 何琴玉 刘秋香 匡淑娟 唐新桂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ba(Zr,Ti)O3陶瓷 锰掺杂 介电性能 压电性能
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 6613-6619
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用氧化物固相反应法制备了锰掺杂改性的Ba(Zr0.06Tia0.94)O3陶瓷.研究了锰的掺杂量对Ba( Zr0.06 Ti0.94)MnxO3(BZTM)陶瓷的结构、介电和压电性能的影响.实验发现,当锰含量x＜0.5 mo1%时进入晶格,使材料压电性能提高,损耗减小,表现出受主掺杂的特性;当锰含量x＞0.5 mol%时进入晶界,过量的锰将在晶界积聚对畴壁和晶界起钉扎作用,从而降低压电性能.随着锰掺杂量进一步增加,弛豫程度变得明显,弥散指数增加.当锰掺杂量为x=0.3%-0.4%范围时,获得d33值为195-220 pC/N,介电常数εr为7500以上,损耗tanδ低于2%的性能优良压电陶瓷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐新桂	广东工业大学物理与光电工程学院	26	71	5.0	6.0
2	何琴玉	华南师范大学物理与电信学院	14	399	6.0	14.0
3	伍君博	广东工业大学物理与光电工程学院	3	20	3.0	3.0
4	刘秋香	广东工业大学物理与光电工程学院	13	46	4.0	6.0
5	匡淑娟	广东工业大学物理与光电工程学院	2	18	2.0	2.0
6	丁南	广东工业大学物理与光电工程学院	2	17	2.0	2.0